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超高純度GaAsエピタキシャル厚膜を用いた空間光変調器の開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

脇田 紘一  中部大学, 工学部電子情報工学科, 教授

研究期間 (年度) 2009
概要光通信・光情報処理分野の急速な技術の進展に伴い空間光変調器の高速・低駆動電圧化が求められている。超高純度の砒化ガリウム厚膜をエピタキシャル成長により作製し、これを用いて従来例に比べ数桁以上の速度・数十分の一の電圧で動作する空間光変調器を開発する。本研究により「画素微細化」「光応答速度の超高速化」「消費電力の低減化」等実現のための光変調デバイスを開発し、超高速駆動技術開発に対応しようとするものである。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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