MOVPE法によるZnO基板上の「緑色発光用InGaN」の高温成長技術の確立

研究課題

研究代表者	松岡隆志東北大学, 金属材料研究所, 教授
研究期間 (年度)	2009
概要	現在、市販されている「窒化物系発光デバイス」は、サファイア基板上に発光層InGaN(インジウムガリウム窒素)を積層して製品化されている。しかし、これら材料間の格子不整合率は14%に及び、LED特性向上の障害となっている。ZnO(酸化亜鉛)基板は、不整合率1.9%と小さく、サファイア基板の代替を切望されるも、実用に至っていない。本課題では、ZnO基板実用化の障壁である“原料アンモニアガスによるZnO基板の腐食”問題を克服し、ZnO基板上InGaNを800°C以上で高温成長する技術を確立し、ZnO基板を用いた発光デバイスの早期製品化に寄与する。