アセチルアセトン錯体の配位子の脱離反応機構を制御した高品質MO-CVD 原料の開発

研究課題

研究代表者	關成之仙台電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教
研究期間 (年度)	2009
概要	本研究課題は、金属アセチルアセトン(acac)錯体が有する配位子の脱離反応機構を制御し、半導体薄膜形成法の中で最も量産性の高い有機金属気相成長(MO-CVD)法で使用する高品質なファイバー状の錯体原料を開発することをにあり、①ZnO薄膜原料であるZn(acac)<sub>2</sub>を中心に、n型不純物およびp型不純物原料を含めた配位子の脱離反応機構を制御すること、②ZnO薄膜の作製に最適な、高純度、安定結晶構造を有するMO-CVD原料の製法を実現することを目標とする。