a 軸配向ZnO 透明トランジスタの新規製造プロセス開発

研究課題

研究代表者	羽賀浩一仙台電波工業高等専門学校, 電子工学科, 教授
研究期間 (年度)	2009
概要	本試験では、安定な昇華特性を有するアセチルアセトン亜鉛(Zn(C<sub>5</sub>H<sub>7</sub>O<sub>2</sub>)<sub>2</sub>)ファイバーをMO-CVD(有機金属気相成長法)原料としたa軸配向ZnO透明トランジスタ(TFT)を実現するための実用化プロセスを明らかにする。具体的には、従来の研究成果とそれを基にした独自の製法を融合して、表面平坦性と十分な絶縁耐圧を有する積層膜(透明導電電極/ゲート絶縁膜)を形成し、この積層膜上に高移動度、高on/off比を目的とした透明なa軸配向ZnO-TFT構造を実現する。