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次世代半導体単結晶と電極金属膜の界面反応制御とコンタクト形成

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

前田 将克  大阪大学, 先端科学イノベーションセンター, 助教

研究期間 (年度) 2009
概要素子のエネルギー効率はSiからSiCへの置換により格段に向上できるが、SiCへのオーミックコンタクト形成が困難であることがこの置換推進を妨げている。特に、高出力用バイポーラ型トランジスタでは単結晶SiCウェハの両面にコンタクトを形成せねばならない。本研究では、種々のSiC結晶面と金属蒸着膜との適切な界面組織を形成するための界面反応制御法確立を目指す。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-25   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2023-01-10  

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