次世代半導体単結晶と電極金属膜の界面反応制御とコンタクト形成

研究課題

研究代表者	前田将克大阪大学, 先端科学イノベーションセンター, 助教
研究期間 (年度)	2009
概要	素子のエネルギー効率はSiからSiCへの置換により格段に向上できるが、SiCへのオーミックコンタクト形成が困難であることがこの置換推進を妨げている。特に、高出力用バイポーラ型トランジスタでは単結晶SiCウェハの両面にコンタクトを形成せねばならない。本研究では、種々のSiC結晶面と金属蒸着膜との適切な界面組織を形成するための界面反応制御法確立を目指す。