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β-酸化ガリウムとZnOを用いた自立GaN膜の形成技術の開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 地域事業 地域イノベーション創出総合支援事業 シーズ発掘試験

研究代表者

中込 真二  石巻専修大学, 理工学部, 教授

研究期間 (年度) 2009
概要サファイア基板を用いて自立GaN単結晶(サファイア基板が付いていない状態を自立と呼ぶ)を得る新しい方法を開発するのが目的である。犠牲層としてZnOを用い、結晶性向上の為の中間層として (<div><span style="text-decoration:overline;">2</span>01</div>)配向β-酸化ガリウム(Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)層を用いる。酸素プラズマ中のZn蒸着、Ga蒸着、窒素プラズマ中のGa蒸着により、ZnO層、β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>層、GaN層を形成する。結晶性の良い最上層GaNを得る条件を研究する。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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