β-酸化ガリウムとZnOを用いた自立GaN膜の形成技術の開発

研究課題

研究代表者	中込真二石巻専修大学, 理工学部, 教授
研究期間 (年度)	2009
概要	サファイア基板を用いて自立GaN単結晶(サファイア基板が付いていない状態を自立と呼ぶ)を得る新しい方法を開発するのが目的である。犠牲層としてZnOを用い、結晶性向上の為の中間層として (<div><span style="text-decoration:overline;">2</span>01</div>)配向β-酸化ガリウム(Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)層を用いる。酸素プラズマ中のZn蒸着、Ga蒸着、窒素プラズマ中のGa蒸着により、ZnO層、β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>層、GaN層を形成する。結晶性の良い最上層GaNを得る条件を研究する。