室温で動作する全半導体トンネル磁気抵抗素子の研究・開発

研究課題

研究代表者	内富直隆長岡技術科学大学, 電気系, 准教授
研究期間 (年度)	2009
概要	II-IV-V2多元系半導体であるZnSnAs2に磁性原子Mnを添加したMnドープZnSnAs2薄膜は、室温で強磁性を示しインジウムリン基板に格子整合することから半導体スピントロニクス材料の候補である。本研究では高品質な薄膜形成を実現するためにMnドープZnSnAs2薄膜の結晶成長条件と薄膜物性について調べ、その結果に基づいて、非磁性ZnSnAs2膜とMnドープZnSnAs2膜を組み合わせたすべて(全)半導体で構成されるトンネル磁気抵抗素子の開発を行い、室温動作の可能性を調べる。