グラフェンに基づくスピントロニクスデバイスのモデル化
研究代表者 |
越野 幹人 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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| 概要 | 本研究交流は、スピントロニクスを全く新しい物質グラフェンにおいて探究し、グラフェンにおけるスピン軌道相互作用と磁性不純物の理論の確立を行い、グラフェンに基づくスピントロニクスデバイスにおけるスピン輸送のモデル化を目指す。具体的には、日本側はスピンホール効果のモデル化、n-p 接合におけるスピン偏極伝導のモデル化などを分担し、英国側はスピン・角度依存光電子分光のモデル化、強磁性体/グラフェン接合における電子スピン注入の半古典的モデルの構築などを分担する。両国の研究チームが相互補完的に取り組むことで、スピントロニクスデバイスの高速化、多用途化、省電力化、小型化、また新しい機能として、磁気的性質とトランジスタ的機能を併せ持つ単一デバイスなどの可能性が期待される。
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| 研究領域 | 先端材料 |
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