ナノプローブ形成用電界電離型ガスイオン源の開発

研究課題

体系的番号	JPMJSN10B8
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJSN10B8
研究責任者	畑浩一三重大学, 大学院工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2010 – 2012
概要	Ga液体金属イオン源(Ga-LMIS)を搭載した現行の集束イオンビーム装置では、試料観察・加工時に照射Gaイオンによる試料汚染が深刻な問題となっています。またGaイオンのエネルギー拡がりに起因する色収差が、集束特性悪化の原因になっています。本課題では、Ga-LMISに替わる高輝度イオン源として電界電離型ガスイオン源を開発し、不活性な重希ガスイオン(Ne,Ar)の高輝度ビーム形成を実証すると共に、実用化に向けてビーム電流の安定度の向上およびエミッターの長寿命化を図ります。