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シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST

体系的番号 JPMJCR10Q2
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJCR10Q2

研究代表者

重川 直輝  日本電信電話株式会社, NTTフォトニクス研究所, 主幹研究員

研究期間 (年度) 2010 – 2015
概要本研究では、低発電コスト、高効率、省資源の太陽電池の実現に向けて、集光型太陽光発電システムと親和性が高い、シリコン/窒化物半導体ハイブリッド多接合タンデム太陽電池を実現します。そのために、可視~赤外光バンドギャップ窒化物半導体のシリコン基板上作成技術、太陽電池設計・作成技術、ハイブリッド化技術を開発するとともに、InN系窒化物半導体の結晶成長、材料物性及びデバイス化に係る学問・技術の進展を図ります。
研究領域太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出

報告書

(2件)
  • 2015 事後評価書 ( PDF )   終了報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2015-09-30   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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