| 体系的番号 |
JPMJCR10Q2 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJCR10Q2 |
研究代表者 |
重川 直輝 日本電信電話株式会社, ＮＴＴフォトニクス研究所, 主幹研究員
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2015
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| 概要 | 本研究では、低発電コスト、高効率、省資源の太陽電池の実現に向けて、集光型太陽光発電システムと親和性が高い、シリコン/窒化物半導体ハイブリッド多接合タンデム太陽電池を実現します。そのために、可視～赤外光バンドギャップ窒化物半導体のシリコン基板上作成技術、太陽電池設計・作成技術、ハイブリッド化技術を開発するとともに、InN系窒化物半導体の結晶成長、材料物性及びデバイス化に係る学問・技術の進展を図ります。
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| 研究領域 | 太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出 |
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