3次元ウェハ積層のための新規Si貫通配線プロセスの開発

研究課題

研究責任者	武山眞弓北見工業大学, 工学部, 准教授
研究期間 (年度)	2010
概要	ムーアの法則に則った2次元での集積化の限界が見え始め、3次元集積の要請が高まっている。さらにコスト面等を考慮すると、ウェハ単位での積層が将来的に主力となるものと思われる。本研究ではLSI工程の後、貫通ビアを作るビア・ラスト工程に欠かせない200°C以下での薄膜作製実現を目指して検討を行い、低温化する上で最も困難であったSiNx及びバリヤ材料の低温化に成功した。さらに、SiNx膜とバリヤ膜を同様のプロセスで作製できることから、TSV技術におけるプロセスの整合性という観点でも問題をクリアできた。なお、バリヤ材料に関してはPVDでもCVD/ALDにおいても200°C以下の低温プロセスで成膜を実証し、そのバリヤ特性は従来の反応性スパッタに匹敵する性能を示すことが明らかになった。