シリコン量子ドットデバイスに向けたナノ粒子精密制御ボトムアッププロセスの開発

研究課題

研究責任者	内田儀一郎九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 助教
研究期間 (年度)	2010
概要	本研究では、ICや太陽電池材料として最も広く利用されているシリコンのナノ粒子に着目し、その生成から基板への配置まで一貫して行えるナノ構造ボトムアッププロセスを開発することを目標とした。この目的に対し、SiH2/H2ガスを用いたマルチホロー放電プラズマCVD法を用いて、10nm以下の分散を持つシリコンナノ粒子の作製に成功した。また、そのナノ粒子の挙動をガス流により制御し、薄膜中への高密度取込に成功した(ナノ粒子薄膜の堆積に成功)。このナノ粒子薄膜(量子ドット薄膜)のデバイス応用として、増感型太陽電池を試作し、その太陽電池セルからの発電を確認した。