揺らぎ制御によるSi系単分散ナノ粒子の非凝集大量合成技術構築

研究課題

研究責任者	鎌滝晋礼九州大学, 高等教育開発推進センター, 助教
研究期間 (年度)	2010 – 2011
概要	本研究開発では、プラズマプロセス中のプラズマ揺らぎの制御技術を確立し、Si系単分散ナノ粒子の非凝集合成技術の構築を行った。この揺らぎ制御技術により、単分散ナノ粒子のサイズを1～2nm間隔で4～8nmと数nmという小さい粒子に対する高性能制御できた。また、ナノ粒子の粒径分布においても11%分散と制御できた。更に、プラズマ揺らぎを制御することで、ナノ粒子量が従来の1.8倍に増加することが分かった。ナノ粒子サイズ、生成に対するプラズマ揺らぎの依存性を明らかにした。揺らぎ制御は、従来技術に比べ、消費電力が同じでありながら、上記のような利点があることから、今後プラズマプロセスの技術において重要になる。