内部加熱を利用した太陽電池用シリコン基板の高効率熱処理法の開発

研究課題

研究責任者	野瀬嘉太郎京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
研究期間 (年度)	2010
概要	本研究では、太陽電池用シリコン基板に対して、光吸収による内部加熱を利用した新規熱処理法の開発を目指して研究を行った。熱源として、ハロゲンランプを用い、ランプの波長域を一定にするため、従来の PID 制御ではなく、パルス式の加熱方法・条件の探索を行った結果、ON/OFFの切り替えに時に時間がかかり、1サイクル3秒では温度および波長を一定にすることが困難であることがわかった。しかし一方で、大気雰囲気の熱処理にもかかわらず、熱処理後も基板表面は顕わには酸化しなかった。これは、基板表面が数十秒で目的温度まで達するためであり、ランプ加熱による利点があることがわかった。本研究により、ランプ加熱の利点と問題点が明らかとなり、今後、熱処理法の開発に向けて有用な知見を得た。