| 概要 | MCS放電方式プラズマ源の中心電極である第3電極にインパルス高電圧を印加する方法を適用し、安定に放電可能な放電条件(圧力範囲、印加電圧範囲、ガス種)の拡大と、これをガス処理に適用して、処理効率および処理速度の向上を目的とする。 放電条件拡大の目標として、乾燥空気(または純粋な窒素雰囲気)、1気圧、円筒半径10mm において、 印加可能な第3電極の電圧範囲(Vmin, Vmax) が、 Vmax-Vmin> 0.5 Vmin程度の広い条件範囲とする。なお、従来のプラズマ源では、1気圧下でVmax-Vmin> 0.25 Vminであった。 また、ガスの処理効率向上として、オゾン生成において、50kJ/gを目標とする。これは、従来の円筒形状MCS放電において得られた効率130kJ/g の約2倍の効率であり、パルス放電によるオゾン生成に関与しないエネルギーを減じることと、換算電界E/nを大きくすることで達成可能であると考えている。 以上と平行してより、より大容積なプラズマ源を可能とするためにMHCD電極およびバラスト抵抗の作成方法の検討を行う。
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