水素吸蔵発熱反応を利用した高選択性新型水素ガスセンサの開発研究

研究課題

研究責任者	木村光照東北学院大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2010
概要	1個のSOI層からなる薄膜ヒータを搭載したカンチレバの先端付近に、更に検出部(Pd薄膜あり)と参照部(Pd薄膜なし)の2つに枝分かれしたカンチレバを形成し、更に、これらのカンチレバに、SOI層とSiO2膜を介して形成したNiCr薄膜とで構成する薄膜熱電対を形成して、水素ガスセンサを構成した。低水素濃度(5%以下)では、加熱リフレッシュ後の冷却過程で水素のPdの吸蔵発熱作用の温度上昇分を計測し、ほぼ100ppmまでの計測、更に高水素濃度(5%以上)では、水素の高熱伝導性を利用し、参照部カンチレバでだけで100%までの計測を実証した。空気中の水素(H2)の検出の応答速度が10秒以内の小型でメタン、プロパンとブタンガスの可燃性ガスに応答がない水素センサを開発した。事業化を目指し、更に、A-Stepに申請した。