CSP RF-ICモジュール用磁性薄膜インダクタの開発
研究責任者 |
曽根原 誠 信州大学, 工学部, 助教
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研究期間 (年度) |
2010
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概要 | 研究開発を研究責任者が総括(目標、その達成度、今後の展開)してください。本内容は事後評価結果としてホームページ等で公開します。知的財産に十分注意しつつ、300字程度で簡潔にまとめてください。 本研究は、情報通信機器におけるRF回路用スパイラル型磁性薄膜インダクタに関するもので、磁性薄膜内の磁気モーメントを導体線路に対し膜面内方向で45 deg傾けて設計する点が特徴である。導体線路全体で磁性薄膜の透磁率を利用でき、インダクタンスを空心インダクタに対し4倍以上高め、かつ導体線路からの漏洩磁束によるクロストークノイズを95%以下に低減できるとした。作製・評価の結果、前者は約1.4倍、後者は約50%に止まり目標には達しなかったが、GHz帯でQ値が世界トップクラスの16を得た。目標値に達しなかった理由は既に明らかになっており、現在新構造の検討を行なっている。
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