省エネルギーSiCパワーデバイス用基板の高能率・高精度加工法の開発

研究課題

研究責任者	久保田章亀熊本大学, 大学院自然科学研究科(工), 助教
研究期間 (年度)	2010
概要	炭化ケイ素(SiC)は、Siに比べて優れた特性を有するため、エネルギー問題の解決に向けた電気エネルギーの高効率利用を可能とする次世代半導体デバイス用材料として有望視されている。しかしながら、SiCは高硬度かつ化学的に安定であるため、加工することが非常に難しく、現状では、研削加工、ダイヤモンド砥粒を用いた多段階の機械研磨ののち、複数回の化学機械研磨が行われてデバイス用基板が製造されている。このため、基板製造にかなりの時間・コストがかかっており、次世代パワーデバイスの普及の大きな妨げになっている。本申請課題では、このSiC基板を高能率・高精度加工できる加工技術を開発することを目的としている。