| 研究責任者 |
楠瀬 尚史 香川大学, 工学部, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2010
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| 概要 | 低電力損失および急速スイッチ機能を有するSiCパワーデバイスは、現在深刻化しているエネルギー問題を軽減することのできるシステムとして、近い将来必ず実用化される技術である。このSiC半導体の製造工程で使用されるプラズマエッチング装置の電極材料には、高熱伝導性、耐プラズマ性、高電気伝導に加え、SiとC以外に不純物を含まないことが望ましい。一般的に、SiC焼結体は、10^-4～10^-5S/cm程度の電気伝導性を有する半導体であるが、電極材料として応用するためには、100S/cm以上の電気伝導が望ましい。本研究では、SiCに僅か4～6vol%の添加剤を加え、焼結条件を制御することにより、10^-1S/cm代の電導度を実現することに成功した。
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