| 研究責任者 |
中尾 節男 独立行政法人産業技術総合研究所, その他部局等, 研究員
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2010
|
| 概要 | 新規三元系セラミックスとして、MAX相の一つであるTi3SiC2に着目した。アークガンを用いて、基板にパルスバイアス電圧を印加し、500°C以下の低温でMAX相Ti3SiC2薄膜の合成を目指した。作製した膜はいずれもアモルファス構造であった。この膜を真空中で熱処理したところ、500°C以上ではあるが結晶化することがわかった。また、基板バイアス電圧が高いほど、結晶化領域の面積割合が大きくなることもわかった。今回、500°C以下で合成するという目標は達成できなかったが、今後は、基板バイアス電圧以外の作成条件も最適化し、さらに低温でのMAX相の合成を進めていく。
|
|---|
