| 研究責任者 |
宮崎 健創 京都大学, エネルギー理工学研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2010
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| 概要 | フェムト秒レーザーを用いて誘電体と半導体の表面に高精度にナノ格子を形成するためのレーザーナノプロセッシング手法を開発することを目標として研究を行った。特に、2光束干渉を用いて作成したDLC表面をダウンサイジングすることにより、ほぼ目標仕様の直線性に優れたナノ格子の加工を実現した。また、物性の異なる数種類の半導体について、ナノ周期構造を形成するための条件を解明した。その結果、当初目標の80 %程度を達成した。今後、得られた新知見と手法を基に、fsレーザーによる半導体表面のナノ格子加工法の実用化に向けた研究開発を進める。
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