半絶縁性次世代半導体中の電気的に活性な欠陥評価方法の開発

研究課題

研究責任者	松浦秀治大阪電気通信大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2010
概要	本研究は、半導体デバイスに影響を与える半絶縁性半導体に対して、過渡電流を正確に測定することにより、半絶縁性半導体中の電気的に活性な欠陥を評価する方法を確立することであった。高純度半絶縁性4H-SiCを用いて、表面を流れる漏れ電流を除去する方法を見出し、内部を流れる過渡電流を測定できるようにした。次に、過渡電流を評価し、数種類の欠陥の密度と放出割合を決定できた。さらに、異なる温度での測定から放出割合のアレニウスプロットが得られ、欠陥の活性化エネルギーを見積もることができた。現在、測定時間範囲を広げる回路の作製も順調に進んでおり、本研究の達成度は80%程度である。今後は、異なる半絶縁性半導体への展開を予定している。