新しい透明スイッチング素子の開発 -酸化亜鉛透明トランジスタによる信号読み出し回路の超高精細撮像素子応用-

研究課題

研究責任者	古田守高知工科大学, ナノデバイス研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2010
概要	酸化亜鉛(ZnO)は高い可視光透過率を有するが、電界効果トランジスタは可視光照射によってチャネル領域のキャリア濃度の微小変化を生ずるため、リーク電流の増大、すなわちスイッチング性能の低下を引き起こす。本研究はZnO 薄膜トランジスタの光電流機構を解明するとともに、可視光照射下でリーク電流増加のない真の透明トランジスタの実現を目指したものである。