| 研究責任者 |
横田 壮司 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
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| 研究期間 (年度) |
2010
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| 概要 | 安全かつ高いクラーク数を有する元素で構成される酸化物を作製し、抵抗変化メモリ材料としての可能性を探査した。次世代メモリ材料として、1高い抵抗変化量2速いスイッチング速度の2点を達成目標とした。作製した試料は5Vで150 %程度変化させることに成功した。速度においては、10Vで約50 nsecでスイッチングさせることに成功した。また、高い抵抗変化には、試料結晶格子内の酸素の存在状態が大きく寄与しており、速度には、抵抗スイッチングに寄与する層厚に寄与していることを明らかにした。今後は、これらの結果をもとに
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