多段カラム陰イオン交換精製法による次世代ULSIゲート絶縁膜用高純度ハフニウムの作製

研究課題

研究責任者	打越雅仁東北大学, 多元物質科学研究所, 助教
研究期間 (年度)	2010
概要	本研究開発は、次世代ULSIゲート絶縁膜用高純度Hfを多段カラム陰イオン交換精製法により作製する事を目的に実施された。具体的には、Zr濃度を90massppm未満、その他の不純物の合計を10massppm未満である高純度Hfを、大量生産を視野に入れたパイロットスケールの精製装置で作製する。多段カラム陰イオン交換精製により得られた高純度HfO2に含まれるZr及びその他の不純物の濃度はそれぞれ60massppm、40massppmであった。その他の不純物は後工程である水素プラズマアーク熔融により容易に10massppm未満に減じる事が可能である。従って、本研究の主要な目的は達成出来た。今後は、高純度HfO2を還元して得られる金属Hfの純度を評価し、高純度Hfを原料としたHfO2薄膜の作製と電気的特性の評価を行う。