| 概要 | 本研究ではグラフェンを用い、液晶ディスプレイや太陽光パネルに用いられている酸化インジウムスズ(ITO)では不可能であるベンダブル透明伝導膜の合成を目指す。しかし、現在の金属薄膜より成長させたグラフェン透明導電膜は多くの問題点(欠陥及び転写)を抱えており、産業化が期待されるグラフェン固有の物性値には達していない。これまでに申請者らは安価で高純度、高品質グラフェン(幅20～300nm, 2～40層)の製造に成功した。そこで本研究ではこの高純度、高品質グラフェンを利用し、高度な分散技術および異種元素ドープによる高電気伝導性のグラフェン膜技術を確立し、従来のグラフェンでは難しかった抵抗(80 Ω/sq)と可視光透過率(85%)を併せ持ったベンダブル透明導電膜の開発に挑戦した。
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