13C-enrichedグラフェンの創成と新物性の開拓

研究課題

研究責任者	白石誠司大阪大学, 基礎工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2010 – 2011
概要	自然界にかつて存在しなかった13Cをenrichした単層グラフェンを創出する。これによりバンドギャップ変調効果やグラフェンのπ電子スピンと13C核スピンの相互作用による単一スピン制御などの新物性・新機能発現のための材料面での基盤を構築する。13C-enriched単層グラフェンは申請者らの独自技術であるポリマー材料を出発材料にしたSuper Graphiteから剥離法によりSi基板上に作製するが、これがほぼ唯一の13C-enriched単層グラフェンの創出方法であり、本研究により材料合成面だけでなく、将来的な新奇な電子素子・スピン素子の創出においても絶対的優位性を構築できる。