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新規電圧駆動磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 探索タイプ

研究責任者 白土 優  大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
研究期間 (年度) 2010
概要電圧駆動磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の開発を目指して、電界による磁性制御が可能なα-Cr2O3薄膜を用いた室温での垂直交換バイアスについて検討した.垂直交換バイアスとは、新規MRAMにおいて、情報読み出しの参照層となる磁性層に作用させる効果であり、α-Cr2O3薄膜を用いた垂直交換バイアスとしては、研究責任者らにより、80 Kで0.27 erg/cm2が達成されていた.本研究により、α-Cr2O3薄膜の膜厚制御、α-Cr2O3薄膜と強磁性薄膜間の磁気結合強度の制御により、室温での垂直交換バイアスの発現に成功した.今後は、低消費電力化に必要となる、α-Cr2O3薄膜の膜厚低減、電圧による交換バイアスの制御が必要となる.

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-26   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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