LSI配線におけるナノコイル型層間絶縁膜の研究開発

研究課題

研究責任者	大宮正毅慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 准教授
研究期間 (年度)	2011
概要	本研究では、低誘電率かつ高剛性の層間絶縁膜を製作することを目的とし、動的斜め蒸着法により、ナノ構造を有する層間絶縁膜を製作し、それらの観察、機械的性質、電気的性質を調べた。その結果、成膜中の基板傾斜角度を変えることで内部構造を変化させることが可能であり、研磨プロセスに耐えうるヤング率である4 GPaをクリアするための成膜条件を明らかにした。また、ナノ構造体薄膜を絶縁膜とした多層膜を製作し、その静電容量を測定した。サイズが小さく、比誘電率の測定に成功しなかったが、今後は、測定および評価方法に検討を加え、さらに、均一なナノ構造とするための技術を開発し、実用化へ向けて研究を進めていく予定である。