新規結晶欠陥抑制手法によるSiC接合障壁ショットキーダイオードの開発

研究課題

研究責任者	加藤正史名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2011
概要	本研究開発で我々は新規手法である陽極酸化欠陥抑制法(PDA法)を用い、SiC表面の欠陥のショットキー障壁に及ぼす影響を抑制することで、高性能なSiC接合障壁ショットキー(JBS)ダイオードの開発を試みた。n型4H-SiCエピ膜を基にしたJBSダイオードを作製し逆方向電流を測定し、その後同じ試料に対しPDA法を適用した上で、再度JBSダイオードを作製し逆方向電流を測定することでPDA法適用前後の特性を比較した。その結果、PDA法適用前のJBSダイオードの逆方向電流が比較的大きかったこともあり、目標値には到達しなかったもののPDA法の適用により逆方向電流が低減できたことが確認された。