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新規結晶欠陥抑制手法によるSiC接合障壁ショットキーダイオードの開発

研究課題

産学が連携した研究開発成果の展開 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 探索タイプ

研究責任者 加藤 正史  名古屋工業大学, 大学院工学研究科, 准教授
研究期間 (年度) 2011
概要本研究開発で我々は新規手法である陽極酸化欠陥抑制法(PDA法)を用い、SiC表面の欠陥のショットキー障壁に及ぼす影響を抑制することで、高性能なSiC接合障壁ショットキー(JBS)ダイオードの開発を試みた。n型4H-SiCエピ膜を基にしたJBSダイオードを作製し逆方向電流を測定し、その後同じ試料に対しPDA法を適用した上で、再度JBSダイオードを作製し逆方向電流を測定することでPDA法適用前後の特性を比較した。その結果、PDA法適用前のJBSダイオードの逆方向電流が比較的大きかったこともあり、目標値には到達しなかったもののPDA法の適用により逆方向電流が低減できたことが確認された。

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2016-04-25   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2023-03-29  

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