超巨大磁気抵抗スイッチング現象の解明と高感度磁気センサー応用

研究課題

研究責任者	新宮原正三関西大学, システム理工学部, 教授
研究期間 (年度)	2011
概要	シリコン酸化膜に絶縁破壊を起こさせ、強磁性ナノ導通経路素子を作成し、磁気抵抗特性、及び抵抗揺らぎ特性などを評価した。ここで、酸化膜厚を5nm - 90nmの範囲で5通り変えた素子を作成し、磁気抵抗特性及びその統計ばらつきなどの評価を行った。また、収束イオンビーム加工により酸化膜に局所的に窪みを形成して、ナノ導通経路の形成の制御を試みた。磁気抵抗特性のばらつき低減法は未だ見出してはいないが、磁気抵抗比の最大値は数十万%以上という非常に大きい磁気抵抗スイッチング素子を数個見出した。また、酸化膜厚依存性はあまり明確ではないが、低抵抗状態の抵抗値は酸化膜厚にほぼ比例する傾向があることを確認した。