赤外線集中加熱法によるシリコンゲルマニウム半導体バルク単結晶の育成

研究課題

研究責任者	綿打敏司山梨大学, 医学工学総合研究部, 准教授
研究期間 (年度)	2011
概要	高純度のSi棒とGe棒の組合せた原料棒を加熱溶融することで均一組成のSiGe単結晶を行うものであった。SiGe単結晶の育成では成長界面形状が傾斜法を用いなくても平坦に近いことが分かった。赤外線集光加熱は温度勾配が急峻であることから融点が異なるSiとGeの溶融状況はあまりかわらないと予想していた。しかし、実際にはGeが著しく溶融し、これが溶融帯を不安定化させていた。Ge原料の形状を扁平にすることで溶融帯を安定化され、目標としていた直径20mmのSiGe結晶の育成に成功した。しかし、溶融帯の安定化は不十分で単結晶育成に失敗する確率が高いこと、長尺化が困難なことが大きな課題である。溶融帯の一層の安定化のための新たな工夫が必要であることが分かった。