ボイド形成・歪制御法を用いたHVPE法による高品質AlN単結晶基板の実用化

研究課題

研究責任者	平松和政三重大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2011
概要	本研究では、HVPE法により100μm厚以上のクラックフリーAlN単結晶の厚膜を実現することを目指す。AlN/a面サファイアの面内関係制御とa面サファイア上への厚膜AlN成長に関する検討を行うことによって、当初の目標である、a面サファイア上に厚膜の高品質c面AlNを得ることに成功した。しかし、膜厚は20μmであるため、目標である100μmの高品質厚膜AlNを得るための結晶成長条件について課題を解決する必要がある。この課題を解決すれば、このような高品質AlNを用いることで、AlGaN発光層を用いた紫外線発光デバイス用基板としての実用化が期待できる。