研究責任者 |
金島 岳 大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授
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研究期間 (年度) |
2011
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概要 | 強誘電体は新規不揮発性半導体メモリへの応用が期待されており、また最近フレキシブル、プリントプロセスによる低コストなどの利点をもつ有機半導体が注目されている。しかし、有機強誘電体は抗電界が大きく、ICカードなど低コストを活かす機器に応用するためには低電圧駆動化が必須である。また、有機強誘電体の上に有機半導体層を形成する必要があるが、徐冷アニールを行うと表面が荒れてしまい良好な界面が形成されないという問題がある。そこで、我々はアニール時に非常に平坦な表面でキャップすることで有機強誘電体薄膜の表面ラフネスを1 nm以下まで平坦にしつつ、膜厚が100 nm程度の極薄化に成功し、抗電圧が10 V以下と低電圧化を行った。
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