PCRAM用「TeフリーSbZn相変化材料」の開発

研究課題

研究責任者	須藤祐司東北大学, 工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2011
概要	本研究は、Sb-Zn 薄膜を用いた相変化メモリ開発を行った。Sb-Zn薄膜は、アモルファス相を呈し、200°C以上の高い結晶化温度にて結晶化する事を確認した。Sb-Zn薄膜の電気特性評価の結果、典型的なメモリスイッチング挙動を示した。Sb-Zn薄膜は、Ge-Sb-TeやGe-Teなどの既存相変化材料に比して高い結晶化温度および低い融点を併せ持つため、低消費電力かつ高耐熱性を有する新規相変化メモリとして十分期待される。