| 研究責任者 |
安井 寛治 長岡技術科学大学, 工学部 電気系, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2011
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| 概要 | 最近見出した世界最高品質のZnO結晶薄膜製造法のデバイス分野への応用をはかるために、p形ZnO結晶薄膜作製技術の構築を目指して研究を行った。即ち、触媒反応を用いて高励起状態のH2Oを生成、金属原料ガスと反応させることで超高品質ZnO半導体膜を得るという新しい作製法を元に、アクセプタ不純物の添加によりp型ZnO結晶膜の作製技術を構築することを目的とした。その結果、アクセプタとなる1×1018cm-3以上の窒素原子のドーピングに成功し、中性アクセプタ束縛励起子による発光を確認したが、同時に高密度の水素原子の取り込みも生じたため、低抵抗のp形結晶膜の作製には成功していない。ただ今後適切なアニールプロセスの導入やZnO結晶基板上へのホモエピタキシャル成長を行うことで目標を達成出来ると考えている。
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