| 研究責任者 |
田中 功 山梨大学, 大学院医学工学総合研究部附属クリスタル科学研究センター, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2011
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| 概要 | 本研究開発では、強磁場効果を利用して四ホウ酸リチウム(Li2B4O7)結晶中への気泡の混入を防ぎ、5T以下の印加磁場中で1.0mm/h以上の高い育成速度で気泡含有量2 %以下のLi2B4O7単結晶を育成することを目標とした。印加磁場は、5Tと10Tでは気泡含有率が3%程度しか変わらず5Tでも十分有効であることが明らかになった。また、2mm/hの高速育成でも、育成雰囲気を空気から酸素に変えることで8%低減できることが明らかになった。本研究開発実施により、Li2B4O7結晶中の気泡含有率を従来の18%から8%まで向上させることができた。今後は育成雰囲気の効果を更に検討することで品質向上が期待できる。
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