Si基板上への多機能性グラフェンのウエハースケール製造技術

研究課題

研究責任者	吹留博一東北大学, 電気通信研究所, 助教
研究期間 (年度)	2011
概要	2インチSiウエハーへのSiC薄膜を介したグラフェンの成長と微細加工による多機能化を目的とした研究を行なった。その結果、2インチウエハー上に均一な大免責グラフェンのエピ成長に初めて成功した。このグラフェン形成技術を基に、微細加工を施したSi基板上へのグラフェンのエピ成長に初めて成功した。更には、微細加工を施したSi基板上に異なる面方位を有するSiC(111)及びSiC(100)薄膜のエピ成長にも成功した。これらの薄膜表面上にグラフェンをエピ成長させることにより、グラフェンの多機能化(半導体vs金属)が可能となる。以上の技術は、将来的にはSi基板上の多機能デバイスを可能にするものとなる。