高アスペクトTSV作成のためのLIPAA加工技術の開発

研究課題

研究責任者	杉岡幸次独立行政法人理化学研究所, 基幹研究所, 研究員
研究期間 (年度)	2011
概要	電子機器の小型・高密度集積化を実現させるために、3次元LSI実装技術の開発が急務となっている。その中で特にシリコン貫通ビア(Through Silicon Via: TSV)加工はKey技術でといわれ、その実現のためにレーザー生成プラズマ支援アブレーション(Laser-Induced Plasma Assisted Ablation: LIPAA)法の適用を試みた。本研究では赤外ナノ秒パルスレーザーと金属ターゲットを用い、SiのLIPAA加工が可能であることを実証した。また高い集光強度が長い距離伝搬するベッセルビームをLIPAA加工に組み込みことで高アスペクト比加工への有効性を明らかにし、実用化の可能性を示した。