| 研究責任者 |
坂元 尚紀 静岡大学, 工学部 物質工学科, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2011
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| 概要 | 安価で再生可能なAFMカンチレバー作製のため、シリコン基板上への柱状構造InNの作製可能性を検討することが本研究の課題であった。当初の予定ではSi(111)基板上の酸化被膜の膜厚を溶液あるいは反応ガスのエッチングにより制御することを計画していたが、これらの方法では柱状構造InNの成長は全く起こらず、根本的な打開策が必要となった。Si基板上で結晶成長が起こりにくい原因としてSi(111)とInN(0001)の格子ミスマッチが大きすぎることが考えられたため、Si(111)とInN(0001)の間の格子定数を有する酸化物をバッファ層とすることを検討した。この酸化物の単結晶上で柱状構造InNが成長することが明らかとなった。この結果、Si(111)基板上に適切なバッファ層を導入することにより当初の目的であった柱状構造InNの作製が可能であることが示唆された。
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