窒化物半導体薄膜を被覆した燃料電池用耐食性金属セパレータの開発

研究課題

研究責任者	山本あき勇福井大学, 大学院工学研究科電気・電子工学専攻, 教授
研究期間 (年度)	2011
概要	本研究の目的は、窒化物半導体InGaNが化学的に極めて安定であることに着目し、表面保護膜としてInGaNを用いた金属SUSセパレ―タを開発し、燃料電池PEFCへの応用を実現することである。既に、InGaNを被覆したSUSセパレータを作製しPEFCでの基本動作を確認するとともに、InGaN膜の耐食性を確認した。残された課題として、セル抵抗低減のためのInGaN膜の低抵抗化と、セパレータの長寿命化のためのInGaN膜中ピンホールの低減について検討した。InGaN膜の低抵抗化は薄膜化とドナ不純物添加による高キャリア濃度化により解決し、ピンホールの低減はクリーンルーム内での成膜により解決した。