| 研究責任者 |
下村 武史 東京農工大学, 大学院工学研究院, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2011
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| 概要 | ポリチオフェンナノファイバー包埋フィルムを作製し、ナノファイバーネットワークが形成する条件を確定し、ナノインプリントを用いて目標に掲げた配向ナノファイバー包埋フィルムの作製を行った。次に、ポリチオフェンナノファイバー包埋フィルムの導電率を測定し、高い導電率が得られる条件を決定した。しかし、ナノインプリントの欠陥やナノファイバーどうしの接続が不十分であったため、ナノインプリントを行った配向ポリチオフェンナノファイバー包埋フィルムでは電気伝導が得られず、異方性が確認されなかった。最後に、ナノファイバー包埋フィルムでFETを作製し、目標に掲げたキャリア移動度1×10-3cm2V-1s-1を達成した。配向フィルムでは導電率測定の際と同様の理由でFETとして機能しなかった。
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