低温CVDによる傾斜化構造を用いた高精度インテリジェント金型の開発

研究課題

研究責任者	齊藤丈靖大阪府立大学, 工学研究科物質・化学系専攻化学工学分野/, 准教授
研究期間 (年度)	2011
概要	プラズマCVDにおけるTiC薄膜の成長について、基板温度の上昇により結晶性が改善した。製膜速度は炭素源がCH4では0.1um/h程度と一定であるが、C2H2では基板温度の上昇に従い0.35um/h程度まで大きくなった。TiC膜の硬度は基板温度上昇により高くなった。C/Ti比を増加させた場合、C2H2ではCH4と比べて製膜速度が大きく増加し、最大0.35um/h程度の製膜速度が得られた。H2流量の増加により、TiCの結晶性が向上するが、製膜速度は低下することがわかった。硬度は炭素源に関らずH2流量が500 sccmで最大値をとった。また、全圧を変化させると製膜速度は変化しないが、硬度は0.48Torrで換算ビッカース硬度2000以上の値が得られた。