次世代携帯電話用SAWデバイスを実現する高速・低損失基板構造の確立

研究課題

研究責任者	垣尾省司山梨大学, 大学院医学工学総合研究部, 准教授
研究期間 (年度)	2011
概要	Xカット36°Y伝搬LiNbO3基板表層に逆プロトン交換層を形成し、プロトン交換層を埋め込んだ提案構造を用いると、高速で伝搬する縦波型リーキー表面波の伝搬特性や共振特性が格段に向上する。しかし、逆プロトン交換時に十分な圧電性が得られない領域が多く、歩留り率が悪い問題点がある。この問題点の解決を目標として作製条件を実験的に検討した。当初の目標80%以上の歩留り率には至らなかったが、逆プロトン交換時に自発分極がランダムに配置されるために歩留り率が悪いことを明らかにした。さらに、核となる自発分極を残留させるために、初期プロトン交換時のLi+濃度を増加させた結果、共振特性が格段に向上する共振子の個数が4倍に増加した。今後は、4G携帯電話用フィルタへの応用を推し進める。