半導体デバイスにおける機械的応力効果のシミュレーションモデル構築と汎用シミュレータへの実装

研究課題

研究責任者	小金丸正明福岡県工業技術センター, その他部局等, 研究員
研究期間 (年度)	2011
概要	本研究開発では、応力効果を反映する電子移動度モデルを汎用デバイスシミュレータへ実装することを目的にした。すなわち、汎用デバイスシミュレータにおいて、応力効果の物理現象(電子存在確率の変化、散乱確率の変化、有効質量、および電子の真性濃度の変化)が取り扱えるようにした。実験結果との比較により電子移動度モデルおよびシミュレーション手法の有用性が確認でき、本事業範囲で設定した目的を達成した。シミュレータの改造を拡張性のある形式(API)で実施しており、今後は応力効果を反映する正孔移動度モデルの開発を進め、p型半導体(およびCMOSデバイス)の評価も可能としたい。