Si基板上への窒化物半導体のエピタキシャル成長における界面歪み制御技術の開発

研究課題

研究責任者	三宅秀人三重大学, 大学院工学研究科電気電子工学専攻, 准教授
研究期間 (年度)	2011
概要	次世代パワーデバイスとして注目されているSiを基板に用いたGaN成長における界面歪み制御技術の開発を行った。Si基板とGaNとの間で生じるメルトバックエッチングを防ぎ、格子定数差と熱膨張係数差により生じる格子歪みを緩和するため、3C-SiCを表面に形成したSi基板を用いた。AlNバッファ層とAlN中間層の成長条件最適化によりクラックを低減し、転位密度を低減した。GaN成長時の表面からの反射光強度と基板の反りのその場観察を行うことで、結晶成長モードを把握し、精密な基板の反り制御を可能とする技術開発行った。AlN中間層を多段で挿入する効果を透過電子顕微鏡による観察により明らかにした。