高品質BiFeO3薄膜形成のためのスパッタリングプロセス

研究課題

研究責任者	中嶋誠二兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2011 – 2012
概要	本研究では、量産に適したRFマグネトロンスパッタリングのターゲット表面磁場が BFO 薄膜の表面形状、D-Eヒステリシス特性に及ぼす影響を調べ、強磁場を用いると良好な特性が得られることを示した。また、傾斜基板を用い、その傾斜方向および角度を変化させることでドメイン構造を制御した。その結果、シングルドメイン薄膜を作製することができ、室温で完全に飽和したヒステリシス特性の観察に成功した。しかし、良好な特性が得られるメカニズムは未だ不明であり、今後は更にプロセス条件の必要条件を見極め、最適プロセスを見出す。