大型MgB2バルク超伝導体の作製技術開発と強力磁石開発への展開

研究課題

研究責任者	内藤智之岩手大学, 工学部, 助教
研究期間 (年度)	2011 – 2012
概要	磁束ピン止め効果を利用すると超伝導体はテスラ級の疑似永久磁石となる。本課題ではRE-Ba-Cu-O(REは希土類元素)超伝導体の代替材料として金属系超伝導体MgB2に着目した。新しい安価で簡便なMgB2バルク作製技術の確立し、テスラ級MgB2バルク磁石開発への展開を目指して研究開発を実施した。金属容器を用いて最大直径32mm、厚さ9mmのMgB2バルクの作製に成功した。作製したMgB2バルクに磁場中冷却着磁法およびパルス着磁法を適用することで各々最大1.5テスラおよび最大0.7テスラの磁場を捕捉させることが出来た。従って、当初の研究開発目標を概ね達成出来たと言える。今後はMgB2バルクの緻密化を行い捕捉磁場の更なる向上を目指したい。