| 研究責任者 |
葛原 正明 福井大学, 大学院工学研究科電気・電子工学専攻, 教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
|
| 概要 | 窒化物半導体トランジスタが低損失な能動素子として注目されている。本研究では、3つの課題(大電流MOSFETの開発、オーミックコンタクト層の低抵抗化、電極金属部の低抵抗化)を掲げ、超低損失窒化物半導体スイッチングトランジスタの開発を目標とする。デバイス開発では、原子層堆積法を用いてアルミナ(Al2O3)をゲート絶縁膜として用いることにより、良好な直流特性をもつMOSFETの試作に成功した。GaN層の低抵抗化では、Siを不純物としてイオン注入したGaNに高温熱処理を加えることにより、低抵抗GaN層を形成できる目処を得た。オーミック電極の直列抵抗低減の検討では、電極幅が狭い場合にパッド金属の厚膜化が有効であることを実験的に示した。
|
|---|
