ハニカム多孔質体を用いた高発熱密度機器の冷却技術の開発

研究課題

研究責任者	森昌司横浜国立大学, 工学研究院, 准教授
研究期間 (年度)	2011 – 2012
概要	近年、電子機器の小型化、高集積化に伴い素子の発熱密度が急増しており、高性能な熱除去手法の確立が急務である。本課題では、発熱体面上にハニカム多孔質体を設置することで、プール飽和沸騰の限界熱流束が向上できることを示した。またハニカム多孔質体性状のパラメータを幾通りか変化させ実験的に限界熱流束を測定し、限界熱流束向上メカニズムの解明を試み、ハニカム多孔質体形状と限界熱流束の定性的な傾向を明らかにした。これらの知見を元に、適切な多孔質体・形状を選ぶことで、これまで得られたことのない非常に高い限界熱流束(最大2.9MW/m^2)を得た。今後多孔質体の性状・形状を改良することでさらなる限界熱流束の向上を目指す。